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纳秒激光器

便携式调Q纳秒激光器-Q1(<0.5W, 10-45mJ,10-50Hz)210-2300nm可调谐纳秒激光器 (Q-TUNE)便携式调Q纳秒激光器-Q2(<2W, <80mJ, 10-100Hz)超紧凑调Q纳秒激光器-Q2HE(<4W, 100mJ,10-100Hz)中功率纳秒激光器(1-14W,0-50kHz)-Onda中功率纳秒激光器(4-40W,0-200kHz)-SOL超高功率调Q纳秒激光器(100-1400mJ,1-100Hz)微型纳秒激光器(100uJ,100kHz)1064nm高功率纳秒光纤激光器超紧凑1.54um高脉冲能量激光器(12mJ)波形可编程脉冲激光器(MOPAW)1534nm纳秒激光器1550nm紧凑型脉冲光纤激光器1550nm单频脉冲光纤激光器1550nm高功率脉冲光纤激光器脉宽可调纳秒激光器(芯片缺陷检测用) 显示全部
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脉宽可调纳秒激光器(芯片缺陷检测用)

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1.5 ns to CW可调, 单脉冲-250Mhz可调,jitter<8ps!

所属类别:ns | ps | fs 脉冲激光器 » 纳秒激光器

所属品牌:

产品负责人:

姓名:田工(Allen)

电话:185 0166 2513(微信同号)

邮箱:jinquan-tian@auniontech.com


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脉宽可调纳秒激光器(芯片缺陷检测用)


脉宽可调纳秒激光器(芯片缺陷检测用)此系列激光器为单模激光器,通过内置从输入的TTL/LVTTL数字信号中产生光脉冲。

脉宽可调纳秒激光器(芯片缺陷检测用)脉冲长度从1.5 ns -CW 连续可调,脉冲重频 从单脉冲- 250 MHz可调


脉宽可调纳秒激光器(芯片缺陷检测用)对于针对应用(热激光刺激(TLS),Thermal laser stimulation(TLS),芯片存储读取(BBRAM, SRAM)),有着如下特别优势:


  • 需求:需要尽可能小的光斑来加工待测芯片的集中部分,并定位正作用的芯片具体位置。

    优势:激光器为单模激光器。输出纤芯尺寸为6μm,通过配套显微镜,可以将它聚焦到1μm以内,提高能流密度


  • 需求:需要时间精度和时间灵活性来使激光脉冲与待测芯片同步

    优势:每个激光器抖动小于8 ps。从而可以将PDM+与芯片同步,并在+/8ps时知道激光脉冲何时到达样品。可以选择从1.5纳秒到连CW 脉冲以及从单次发射到250兆赫的任何脉冲


  • 芯片硅很厚,需要高功率

    优势:有通过定制,峰值功率定制可达10 W。一般测量需要约1 W的功率。在2 W单模激光功率水平下,可以很容易地影响你的芯片,即使是很厚的硅


  • 可靠性和产品支持

    优势:该系列激光器都是光纤设计激光器。没有光学移动部件或损失的风险。该模块是电子安全的,不会因操作不当而损坏。




PDM - HPP系列激光器参数



脉宽可调纳秒激光器(芯片缺陷检测用) 主要特征:

  • 脉冲持续时间:1 ns (FWHM)

  • 单次脉冲、burst mode 或 连续

  • Max as 4 W峰值功率

  • 抖动(< 8 ps)

  • 可达 250 MHz重复频率

  • 包含脉冲延迟发生器

  • Python兼容





PDM HP 系列参数







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产品标签:ALPhANOV,PDM2,PDM2 HP,纳秒可调激光器,芯片缺陷检测用纳米激光器